PR950270 - SiC Kristallzuchtanlage (OV)

Description du marché

Das Fraunhofer IKTS (nachfolgend IKTS) plant die Anschaffung einer Kristallzuchtanlage für Entwicklungs-arbeiten und zur Herstellung von Siliciumcarbideinkristallen mit einem Durchmesser von vier bis sechs Zoll. Hauptaugenmerk wird am IKTS auf dem Aufbau einer geeigneten Hot-Zone liegen und sich im Bereich der Entwicklung geeigneter Edukte, deren Auswirkung auf die Qualität des Kristallwachstumsprozesses bewegen. Die Anlage wird als Forschungs- & Entwicklungsaggregat am IKTS betrieben werden. Die dabei zu nutzende Temperatur muss mindestens 2.400°C betragen. Der Energieeintrag muss über eine induktive Beheizung erfolgen. Die Temperaturmessung erfolgt an mindestens einer Stelle per Pyrometer. Als Prozessgas finden Argon und Stickstoff Anwendung. Die Anlage muss für den Kristallzuchtprozess einen Druck von 1 bis mindestens 20 mbar mit einer Genauigkeit von mindestens ±0,07 mbar ausregeln können. Der Aufbau der Hot-Zone muss unabhängig vom Aufstellort der Anlage erfolgen. Das bedeutet, dass die Anlage eine Möglichkeit zur Entnahme, zum Transport und zum präzisen zu positionierenden Einbau der Hot-Zone ermöglicht. Der Aufstellort mit einer zur Verfügung stehenden Fläche von maximal 3.000 x 5.000 mm (B x T) befindet sich im Erdgeschoss. Am Aufstellort darf die Deckentragelast 2 t/m² nicht überschreiten. Die Fläche aller Baugruppen der Anlage, die Flächen zum Service an der Anlage und alle notwendigen Bedienflächen müssen innerhalb der zur Verfügung stehenden Aufstellfläche liegen. Die Höhe der Anlage mit geöffneten Zugängen bzw. Revisionsöffnungen zum Service darf 4.000 mm nicht überschreiten. Der Zugang zur Aufstellfläche zum Einbringen der Anlage erfolgt über eine Rampe und durch verschiedene Türen. Die kleinste Durchgangsbreite beträgt 2.400 mm und die kleinste Durchgangshöhe zum Aufstellort 2.300 mm. Alle benötigten Medien (Elektrik, Prozessgase, Kühlwasser, Druckluft, etc.), Abluft Prozessgas, Abluft Vakuumpumpe liegen am Stellplatz an. Deren Anbindung an die Anlage wird deckenseitig (von oben) erfolgen. Entsprechend ist ein Übergabepunkt zur Anbindung aller Medien deckseitig (von oben) vorzusehen.

Pouvoir adjudicateur